France

Vishay Halbbrücke erhöht die Leistungsdichte und Energieeffizienz

Redakteur: Julia Engelke

Vishay Intertechnology hat eine neue, für Anwendungen in Industrieanlagen und medizinischen Geräten vorgesehene 40-V-n-Kanal-Mosfet-Halbbrücke präsentiert, die sich durch erhöhte Leistungsdichte und Energieeffizienz auszeichnet.

Die neue 40-V-n-Kanal-Mosfet-Halbbrücke von Vishay Intertechnology ist unter anderem für medizinische Geräte vorgesehen.
Die neue 40-V-n-Kanal-Mosfet-Halbbrücke von Vishay Intertechnology ist unter anderem für medizinische Geräte vorgesehen.
(Bild: Vishay)

Durch die Integration der High- und Low-Side-Mosfets in einem nur 3,3 mm x 3,3 mm großen Power-Pair-Gehäuse bietet die SiZ240DT von Vishay Siliconix beste On-Widerstands- und FOM-Werte dieser Klasse. „FOM“ bzw. „Figure of Merit“ (Produkt aus On-Widerstand und Gate-Ladung) ist eine wichtige Spezifikation für Mosfets, die in Energiewandler-Anwendungen eingesetzt werden.

Beide Trench-FET-Mosfets in der SiZ240DT sind intern zu einer Halbbrückenschaltung verbunden. Der Kanal-1-Mosfet der SiZ240DT, der als Steuerschalter in einem Synchron-Abwärtsregler dient, hat einen maximalen On-Widerstand von 8,05 mOhm bei 10 V bzw. 12,25 mOhm bei 4,5 V Gate-Spannung. Der Kanal-
2-Mosfet, der als Synchronschalter dient, hat einen On-Widerstand von 8,41 mOhm bei 10 V bzw. 13,30 mOhm bei 4,5 V Gate-Spannung. In Verbindung mit den niedrigen Gate-Ladungen von nur 6,9 nC (Kanal 1) bzw. 6,5 nC (Kanal 2) ergibt sich ein niedriger FOM-Wert, was die Energieeffizienz in Hochfrequenz-Schaltanwendungen erhöht.

Die neuen Dual-Mosfets sind 65 Prozent kleiner als vergleichbare Typen im 6 mm x 5 mm großen Gehäuse. Sie bieten Entwicklern eine platzsparende Lösung für Anwendungen wie Steuerung von Elektrowerkzeugen und nicht-implantierbare medizinische Geräte; außerdem Halbbrücken für Synchron-DC/DC-Abwärtsregler, drahtlose Ladegeräte und Schaltstromversorgungen in Telekomsystemen und Servern.

Weil der integrierte Dual-Mosfet keine internen Drahtverbindungen enthält, wird die Parasitärinduktivität minimiert und ermöglicht dadurch hohe Schaltfrequenzen; dies wiederum erlaubt die Verwendung kleiner Induktivitäten und Transformatoren und ermöglicht somit kleinere Endprodukte.

Das optimierte Qgd/Qgs-Verhältnis reduziert das Schaltrauschen und verbessert ganz allgemein das Schaltverhalten. Die SiZ240DT wird 100 Prozent Rg- und UIS-getestet und ist RoHS-konform und halogenfrei.

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