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Verbesserte Empfindlichkeit bei biomedizinischen Anwendungen Neue Silizium-PIN-Fotodiode

Quelle: Pressemitteilung Vishay Intertechnology 1 min Lesedauer

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Die neue Silizium-PIN-Fotodiode von Vishay Intertechnology verbessert die Empfindlichkeit bei biomedizinischen Anwendungen. Hauptmerkmale sind eine größere empfindliche Fläche von 6,0 mm2 und ein erhöhter Rückwärtslichtstrom.

Die neue VEMD8082 weist einen höheren Rückwärtslichtstrom, eine geringere Diodenkapazität sowie kürzere Anstiegs- und Abfallzeiten im Vergleich zu Lösungen der vorherigen Generation auf.(Bild:  Vishay Intertechnology)
Die neue VEMD8082 weist einen höheren Rückwärtslichtstrom, eine geringere Diodenkapazität sowie kürzere Anstiegs- und Abfallzeiten im Vergleich zu Lösungen der vorherigen Generation auf.
(Bild: Vishay Intertechnology)

Vishay Intertechnology hat eine neue Silizium-PIN-Fotodiode vorgestellt, die eine höhere Empfindlichkeit im sichtbaren/nahen Infrarotbereich für biomedizinische Anwendungen wie die Überwachung von Herzfrequenz und Blutsauerstoff bietet. Die neue VEMD8082 weist einen höheren Rückwärtslichtstrom, eine geringere Diodenkapazität sowie kürzere Anstiegs- und Abfallzeiten im Vergleich zu Lösungen der vorherigen Generation auf. Darüber hinaus ermöglicht der kleine Formfaktor von 4,8 mm x 2,5 mm x 0,5 mm die Integration in flache Geräte wie beispielsweise Smartwatches.

Besonders wichtig ist die hohe Empfindlichkeit der VEMD8082 für biomedizinische Anwendungen wie die Photoplethysmographie (PPG), wo mithilfe der Fotodiode Veränderungen des Blutvolumens und des Blutflusses durch Messung der von den Blutgefäßen absorbierten oder reflektierten Lichtmenge erkannt werden. Bei solchen Anwendungen sind präzise Messungen entscheidend für die Diagnose und Überwachung von Krankheiten wie Herz-Kreislauf-Erkrankungen.

Die Spezifikationen der neuen Diode, die zu ihrer hohen Empfindlichkeit im Vergleich zu den Geräten der vorherigen Generation beitragen, umfassen eine strahlungsempfindliche Fläche von 6,0 mm2 und eine Erhöhung des Rückwärtslichtstroms um 18 bis 20 Prozent, in Abhängigkeit von der Wellenlänge. Die verringerte Diodenkapazität von 50 pF auf 46 pF sowie die schnelleren Anstiegszeiten von 40 ns gegenüber 110 ns ermöglichen zudem höhere Abtastraten.

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