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nvSRAM Robuster Speicher für Medizintechnik und Automatisierung

| Redakteur: Sebastian Gerstl

Anvo-Systems Dresden, ein Hersteller nicht-flüchtiger Speicherprodukte, präsentiert das serielle nvSRAM ANV32AA1W mit einer Kapazität von 1 Mbit. Das nvSRAM (non-volatile SRAM) verfügt in jeder Speicherzelle über ein SONOS (Silizium-Oxid-Nitrid-Oxid-Silizium) Flash-Speicherelement.

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(Bild: Anvo-Systems )

Die robuste, kostenoptimierte SONOS-Technologie ermöglicht die nicht-flüchtige Speicherung aller Daten bei einem unvorhersehbaren Abfall der Betriebsspannung unter einen definierten Wert in weniger als 15 ms. Zudem sind die typischen Vorteile von SRAMs wie kurze Zugriffszeiten und unbegrenzte Lese- und Schreibzyklen geboten.

Der Baustein weist eine Organisation von 128k Worten zu je 8 Bit auf und unterstützt SPI Modes 0 und 3. Zudem verfügt er über eine hohe Taktrate von 66 MHz. Eine integrierter Hibernate Mode mit einem Standby-Strom von kleiner als 1 µA sorgt für geringen Energieverbrauch. Die Recovery-Zeit aus den Power-Down-Modus liegt bei 60 µs.

Sicherheitsfeatures wie prüfsummengeschützte Zugriffe und Time Monitoring sorgen für hohe Zuverlässigkeit. Das nvSRAM eignet sich so für Anwendungen in der Medizintechnik, Industrie- wie Gebäudeautomatisierung und Smart Metering-Systeme.

Das nvSRAM ANV32AA1W kann mit 2,7 V - 3,6 V betrieben werden. Es ist in einem 8 Pin DFN oder 16 Pin 169 mil TSSOP Gehäuse für Temperaturen von -40 °C bis +85 °C erhältlich.

Dieser Artikel ist erschienen im Themenkanal Medizintechnik der Fachzeitschrift Elektronikpraxis.

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